Теория энергетических спектров фотоэмиссии из полупроводников с отрицательным электронным сродством

На основе представлений о фотоэмиссии из полупроводников с отрицательным электронным сродством, связанных с существованием в поверхностном канале изгиба зон локализованных состояний электронов с двумерным спектром состояний, развита теория энергетических спектров фотоэмиссии. С учетом процессов релаксации фотоэлектронов по энергиям, рекомбинации и эмиссии через поверхностный барьер в вакуум найдена функция распределения по энергиям горячих фотоэлектронов в подзоне с двумерным спектром. Сравнение рассчитанных и экспериментальных энергетических распределений позволяет определить параметры, характеризующие спектр электронных состояний вблизи поверхности и кинетику релаксации неравновесных фотоэлектронов в приповерхностной области полупроводника.