Энергетическое распределение вторичных электронов из эмиттеров с отрицательным электронным сродством на основе кристаллов GaP

Проведено экспериментальное исследование энергетических распределений вторичных электронов (ЭРВЭ), эмиттируемых сколотыми в вакууме монокристаллами $p$-GaP со сниженной работой выхода при концентрации акцепторов $p_{A}$ $10^{17}{-}10^{19}\,\text{см}^{-3}$, а также теоретическое рассмотрение скорости энергетической релаксации горячих электронов при возбуждении ими междолинных фононов и связанных поверхностных плазмон-фононных мод колебаний (СППФМК) в эмиттерах на основе GaP. Наблюдаемый характер зависимости ЭРВЭ от $p_{A}$ связывается с действием как фононного, так и плазмонного механизмов рассеяния электронов, причем вклад рассеяния на СППФМК в потери энергии горячих электронов при прохождении ими области изгиба зон становится существенным при концентрации акцепторов порядка $10^{19}\,\text{см}^{-3}$.