Возникновение сегнетоэлектрического дальнего порядка в примесных дипольных системах

Выяснены условия возникновения сегнетоэлектрического дальнего порядка в сильно поляризуемых кристаллах с дипольными примесями. В приближении случайного молекулярного поля найдена критическая концентрация диполей $n_{cr}$, выше которой при ${T=0}$ кристалле появляется макроскопический дипольный момент ${n_{cr}r^{3}_{c}=0.52\cdot10^{-2}}$ в случае двух возможных ориентаций диполей и ${n_{cr}r^{3}_{c}=1.3\cdot10^{-2}}$, если диполи могут ориентироваться в произвольных направлениях ($r_{c}$ — радиус корреляции поляризации в чистом кристалле). Полученная зависимость дипольного момента системы от значений параметра $nr^{3}_{c}$ показывает, что при ${nr^{3}_{c}<10^{-1}}$ имеют место существенные отклонения от предсказаний теории среднего самосогласованного поля. Область применимости теории среднего поля соответствует значениям ${nr^{3}_{c}\gtrsim10^{-1}}$. Полученные результаты согласуются с заключением авторов о реализации в КТаO$_{3}$ : Li сегнетоэлектрического фазового перехода. Обсуждается роль близко расположенных диполей в формировании доменной структуры.