Спин-орбитальное рассеяние электронов в неупорядоченных пленках индия с примесями водорода

Проведено исследование влияния перпендикулярного магнитного поля $H$ на температурную зависимость сопротивления $R(T)$ и температуру сверхпроводящего перехода $T_{c}$ при ${T< 20}$ K для высокорезистивных ($R_{\square}>1$ кОм) пленок индия, полученных совместным осаждением металла и водорода на охлажденную до ${\sim5}$ K подложку. При ${T> 2T}$ пленки обладали слабым отрицательным ходом $R (T)$, соответствующим теориям слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия. Обработка кривых $R (T,H)$ по этим теориям позволила определить время релаксации фазы электронов $\tau_{\varphi}(T)$ и оценить время релаксации спина электронов $\tau_{s0}$ за счет спин-орбитального взаимодействия (СОВ). В отношении сверхпроводящих характеристик пленки были нульмерными, что проявлялось как в температурной зависимости флуктуационной проводимости при ${T>T_{c}}$, так и в зависимости $T_{c}(H)$. Кроме орбитальных эффектов на зависимости $T_{c}(H)$ проявлялось непосредственное влияние СОВ, что также позволило оценить величину $\tau_{s0}$, которая оказалась примерно равной $\tau_{s0}$, определенной из анализа $R (T,H)$.