Электропроводность магнитного полупроводника HgCr$_{2}$Se$_{4}$ в сильном электрическом поле

Исследована электропроводность магнитного полупроводника HgCr$_{2}$Se$_{4}$ при 4.2 K в сильном электрическом поле. Электропроводность измерялась в конце импульса электрического поля. Получено, что электрическое поле $E$ увеличивает электропроводность HgCr$_{2}$Se$_{4}$ в области электрических полей ${E<E_{c}}$. При дальнейшем увеличении $E$ электропроводность уменьшается. Значение поля $E_{c}$ зависит от удельного сопротивления образцов и длительности импульса электрического поля.
Изучение инерционности тока в HgCr$_{2}$Se$_{4}$ показало, что в области слабых полей время релаксации электропроводности порядка $10^{-11}$ с. При ${E>E_{c}}$ электропроводность после окончания импульса электрического поля достигает своего равновесного значения за несколько десятков микросекунд. Полученные результаты объясняются разогревом электронов электрическим полем и последующей передачей их энергии магнитной подсистеме.