Диффузия компонентов и примесей в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te (${x=0.2}$)

Методом радиоактивных индикаторов исследована диффузия компонентов и примесей в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te (${x=0.2}$). Установлено, что концентрационный профиль теллура, олова, фосфора, сурьмы описывается одной erfc-функцией, а профиль ртути, меди, серебра, золота индия — двумя erfc-функциями, что указывает на диффузионный перенос с быстрой и медленной составляющими. Исследованные примеси могут быть условно подразделены на медленно диффундирующие (олово, фосфор, сурьма; индий — медленная составляющая диффузионного потока), быстродиффундирующие (индий — быстрая составляющая диффузионного потока; медь, серебро; золото — медленная составляющая диффузионного потока) и сверхбыстродиффундирующие примеси (быстрые составляющие диффузионного потока меди, серебра, золота), значения коэффициентов диффузии которых соизмеримы с коэффициентом диффузии однократно заряженных вакансий ртути. Приводятся зависимости коэффициентов диффузии и поверхностной концентрации компонентов и примесей от температуры и давления пара ртути. Рассмотрено влияние легирования материала донорной и акцепторной примесями на параметры диффузии ртути, индия, олова, фосфора, сурьмы. Обсуждаются особенности механизмов миграции и внедрения компонентов и примесей в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te (${x=0.2}$).