Движение дислокации через хаотическую сетку локальных дефектов, способных изменять свое физическое состояние

Впервые проведено моделирование на ЭВМ термоактивированного движения дислокации через хаотическую сетку локальных дефектов, способных изменять свое физическое состояние. Это изменение может происходить или путем переориентации локальных дефектов в кристаллографических ячейках (дефекты снуковского типа), или на основе изменения структуры дислокационной линии в местах ее взаимодействия с локальными дефектами. Для указанных случаев методом моделирования получены зависимости скорости $v$ движения дислокации от нагрузки $\sigma$ и исследованы их качественные характеристики. Установлено, что последние хорошо согласуются с характеристиками приведенных в литературе экспериментальных зависимостей $v(\sigma)$, измеренных для определенных образцов монокристаллов фтористого лития.