Автолокализованные состояния электронов в сегнетоэлектрических кристаллах

Рассмотрены автолокализованные состояния (АС) электронов флуктуонного типа в одноосных сегнетоэлектриках вдали от точки фазового перехода второго рода. В сегнетоэлектрической фазе они представляют собой носители тока (поляроны), локализованные вблизи домена с переориентированной поляризацией. В параэлектрической фазе локализация может происходить вблизи сегнетоэлектрических участков, стабилизирующихся полем электрона. Получено выражение для энергии электрона в неоднородной нелинейно-поляризующейся среде. С помощью прямого вариационного принципа в рамках простой модели определено изменение термодинамического потенциала при автолокализации. Исследованы условия автолокализации и характеристики образующихся состояний. Найдено, что для образования АС благоприятны системы с небольшими и резко анизотропными диэлектрическими проницаемостями, значительными эффективными массами, сильным поляронным эффектом, малыми энергиями доменных стенок и невысокие температуры.