Эффективная ширина доменной стенки в сегнетоэлектрических кристаллах с дефектами

Теоретически оценивается эффективная ширина $l_{\text{'a}}$ доменной стенки в сегнетоэлектрике с дефектами, в качестве которой принимается толщина слоя, в пределах которого располагается локально изогнутая за счет взаимодействия с дефектами доменная граница. Определена величина $l_{\text{эф}}$ для различной концентрации точечных и линейных дефектов в кристалле при различной ориентации последних.