Низкотемпературный распад экситонов с рождением дефектов в КВr и КВr$-$Сl

Для кристаллов КВr и КВr$-$Сl при 4.2 K высокочувствительными люминесцентными методами измерены спектры создания фотонами ${6.5\div7.5}$ эВ анионных френкелевских дефектов. Долгоживущие пары нейтральных дефектов (F, Н-пары) и заряженных дефектов ($\alpha,\,I$-пары) эффективно возникают при автолокализации оптически созданных экситонов.
В кристаллах КВr, содержащих 1% КСl, при распаде экситонов возникают F- и Н-центры, искаженные ионами Сl$^{-}$ (Н$_{\text{Cl}}$ стабильные до 65 K), а также анионные вакансии и междоузельные ионы Cl$^{-}_{i}$ (стабильные до 95 K).
Обсуждаются механизмы дефектообразования в КВr и КВr$-$Сl.