О симметрии электронных состояний в кристаллах карбида кремния

Рассмотрены отражения электронов на различных брэгговских плоскостях в кристаллах SiC и показано, что главные отражающие плоскости во всех модификациях SiC, кроме $2H$, совпадают с плоскостями, ограничивающими зону Бриллюэна кубического кристалла $\beta$ SiC, если принять, что электронные состояния зоны проводимости формируются только одной подрешеткой, составленной из атомов Si. Показано также, что сверхрешетка в SiC может быть описана наложением винтовой оси на кубическую решетку. На основе зоны Бриллюэна $\beta$ SiC построена зона главных отражений в обратном пространстве сверхрешетки и рассмотрена ее симметрия.