Дислокационная структура и амплитуднозависимое внутреннее трение кристаллов LiF

Изучались изменения дислокационной структуры, возникающие при измерении амплитуднозависимого внутреннего трения в кристаллах LiF.
Параметры дислокационной структуры сопоставлялись с особенностями амплитудной зависимости декремента.
Оказалось, что при амплитудах колебаний, соответствующих амплитуднозависимой области декремента, в приповерхностных слоях кристаллов происходит размножение дислокаций. Амплитудная зависимость декремента, измеренная при последовательном увеличении амплитуды колебаний, соответствует переменному числу дислокаций. Амплитудная зависимость при уменьшении амплитуды колебаний характеризует движение постоянного числа дислокаций. Параметры этого движения не зависят от количества введенных дислокаций.