Определение параметров дифракционного каналирования электронов в монокристаллах по энергетическим спектрам обратного рассеяния

В работе предложен новый метод определения параметров дифракционного каналирования электронов в массивных монокристаллах, основанный на анализе ориентационного контраста серии пиков плазмонных потерь в энергетических спектрах обратного рассеяния. С помощью этого метода по экспериментальным данным, полученным для аморфного и монокристаллического кремния при энергиях электронов ${\sim10}$ кэВ и интерпретированным на основе двух- и трехволнового приближений динамической теории дифракции, определены коэффициенты поглощения блоховских волн, длина экстинкции для отражения 220 и соответствующие Фурье-компоненты потенциала кристаллической решетки. Получено прямое доказательство ослабления эффекта каналирования электронов вблизи поверхности кристалла, подтверждающее правильность модели единого волнового поля.