Процессы радиационного дефектообразования в монокристаллах гидрида и дейтерида лития

Методами стационарной и импульсной абсорбционной спектроскопии исследованы процессы создания и распада радиационных дефектов в кубических кристаллах LiH и LiD. При облучении кристаллов фотонами, селективно создающими экситоны, электронами ускорителя, рентгеновской радиацией при низких температурах образуются $F$- и $V^{*}$-центры. Анализ возможных механизмов образования дефектов показывает, что в основе радиационного дефектообразования LiH лежит безызлучательный распад экситонов. Показано, что эффективность генерации $F$- и $V^{*}$-центров в чистых и примесных кристаллах в диапазоне температур 80$-$298 K одинакова. Введение примеси (Na) способствует стабилизации и накоплению радиационных дефектов. Распад экситонов с образованием френкелевских радиационных дефектов в чистых кристаллах LiH и LiD происходит, по-видимому, в регулярных узлах кристаллической решетки. В примесных кристаллах LiH$-$Na, LiD$-$Na наряду с этим имеет место процесс образования радиационных дефектов в результате распада околоактиваторных экситонов.