|
|
Физика твердого тела, 1986, том 28, выпуск 7, страницы 1982–1990
(Mi ftt415)
|
|
|
|
Плотность электронных состояний и фазировка волн зарядовой плотности в 2$H$–NbSe$_{2}$
А. В. Скрипов, А. П. Степанов, А. Д. Шевченко, З. Д. Ковалюк Институт физики металлов УНЦ АН СССР, Свердловск
Аннотация:
Исследована температурная зависимость формы спектров ЯМР $^{93}$Nb, времени спин-решеточной релаксации и магнитной восприимчивости в монокристаллах $2H{-}$NbSe$_{2}$. Анализ формы линий ЯМР показал, что низкотемпературная фаза $2H{-}$NbSe$_{2}$, обычно рассматриваемая как «несоизмеримая», является локально соизмеримой с решеткой высокотемпературной фазы и имеет орторомбическую симметрию. Из экспериментальных данных определены плотность электронных состояний на уровне Ферми, $N (E_{F})$, вклады в $N (E_{f})$ $d$-состояний различной орбитальной симметриии и температурная зависимость амплитуды волн зарядовой плотности.
Поступила в редакцию: 13.12.1985
Образец цитирования:
А. В. Скрипов, А. П. Степанов, А. Д. Шевченко, З. Д. Ковалюк, “Плотность электронных состояний и фазировка волн зарядовой плотности в 2$H$–NbSe$_{2}$”, Физика твердого тела, 28:7 (1986), 1982–1990
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt415 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v28/i7/p1982
|
|