Автолокализация экситонов и создание радиационных дефектов в KI и RbI

Измерены зависимости от температуры интенсивностей фото- и рентгенолюминесценции автолокализованных экситонов (АЛЭ), а также эффективностей радиационного создания анионных вакансий в KI и RbI. Выявлены процессы создания френкелевских дефектов при взаимодействии свободных экситонов с дорадиационными дефектами (${4\div25}$ K) и при термостимулированном создании АЛЭ при 25$-$50 K. Эффективность образования дефектов резко возрастает, а люминесценция АЛЭ тушится при нагреве выше 60 K, когда рекомбинационно рожденные АЛЭ с верхних колебательных уровней состояния с ${n=2}$ переходят в зону вибронной нестабильности АЛЭ.