Амплитудные зависимости диэлектрических потерь в реальных кристаллах ТГС

Исследованы амплитудные зависимости низкочастотных диэлектрических потерь номинально чистых, облученных рентгеновскими лучами и допированным хромом полидоменных образцов триглицинсульфата. Установлено, что при определенном для данного образца значении порогового поля $E_{\text{п}}$ происходит отрыв доменных границ от закрепляющих их дефектов. Величина $E_{\text{п}}$ сильно зависит от концентрации радиационных дефектов в образце, примеси хрома, а также различается в образцах, вырезанных из разных пирамид роста одного и того же номинально чистого кристалла. Амплитудные зависимости диэлектрических потерь для значений переменного электрического поля, бо́льших $E_{\text{п}}$, достаточно хорошо описываются экспоненциальной функцией.