Резонансное уменьшение электрического сопротивления ферромагнитного полупроводника при насыщении ФМР

Показано, что при насыщении ФМР в ферромагнитном полупроводнике возникает отклонение от равновесия эффективной температуры кинетических степеней свободы электронов проводимости, обусловленное джоулевым разогревом в вихревом электрическом поле. Соответствующая неравновесная добавка к примесному электрическому сопротивлению имеет отрицательный знак, пропорциональна проводимости образца и воспроизводит кривую насыщения ФМР.