КР активные мягкие моды в слоистых полупроводниках TlInS$_{2}$ и TlGaSe$_{2}$

Исследованы спектры комбинационного рассеяния света в слоистых полупроводниках TlInS$_{2}$ и TlGaSe$_{2}$. Обнаружено аномальное поведение низкочастотных спектров, соответствующих $\alpha_{xx}$- и $\alpha_{yy}$-компонентам тензора поляризуемости. Результаты указывают на существование в TlInS$_{2}$ двух временны́х масштабов, соответствующих центральному пику и боковой компоненте с частотой $30{-}40\,\text{см}^{-1}$. Последняя имеет заметную температурную зависимость ниже 150 K. Температурная эволюция низкочастотного спектра TlGaSe$_{2}$ отличается от TlInS$_{2}$ тем, что ниже фазового перехода вблизи 106 K, релаксационное крыло рэлеевской линии быстро приобретает характер резонансной линии. Обсуждаются варианты пространственных групп, согласующихся с полученными результатами.