Рентгеновские исследования фазовых переходов в узкозонных полупроводниках группы A$^{4}$B$^{6}$

Проведены рентгеновские исследования искажений ГЦК решетки в ряде твердых растворов полупроводников группы А$^{4}$В$^{6}$, в которых ожидается появление низкотемпературных фазовых переходов (ФП). В образцах Рb$_{0.8}$Sn$_{0.2}$Те и РbТе$_{0.95}$S$_{0.05}$ не обнаружено никаких искажений решетки при ${T>100}$ K.
Показано, что введение примесей In и S в твердый раствор Pb$_{1-x}$Ge$_{x}$Те понижает температуру $T_{c}$ сегнетоэлектрического ФП ${O^{5}_{h}\to C^{5}_{3v}}$. Изучено влияние замещения Te${}\to{}$Se на ФП в Pb$_{1-x}$Ge$_{x}$Te: в Pb$_{0.92}$Ge$_{0.08}$Te$_{1-y}$Se$_{y}$ обнаружено немонотонное изменение температуры $T_{c}$ и температурного коэффициента угла ромбоэдрического искажения $d\alpha/dT$ с составом $y$. Эти явления объяснены влиянием случайных деформационных и квазиэлектрических полей на упорядочение дипольных моментов нецентральных атомов Ge.