Зависимость температуры фазовых переходов в квазиодномерных проводниках от концентрации дефектов и давления

Задача о фазовых переходах квазиодномерных кристаллов, стопки молекул в которых всегда разбиты дефектами на фрагменты конечной длины, сведена к решеточным моделям Изинга и XY-модели. Оценена критическая температура перехода кристаллов (TMTSF)$_{2}$X в антиферромагнитное и сверхпроводящее состояние и обсуждена ее зависимость от давления и концентрации дефектов.