Образование периодических структур дефектов на поверхности полупроводников при импульсном лазерном облучении

Экспериментально обнаружено образование периодических структур дефектов на поверхности GaP при облучении ее мощными наносекундными импульсами УФ эксимерного лазера. Наблюденный эффект интерпретируется как результат развития на поверхности электронно-деформационно-тепловой неустойчивости при межзонных переходах. Получено хорошее согласие развитой теории с экспериментом.