Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика твердого тела, 1988, том 30, выпуск 9, страницы 2738–2745 (Mi ftt4850)  

Ван-дер-ваальсово взаимодействие тонких проводящих слоев

Ю. С. Бараш

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, г. Москва
Аннотация: Рассмотрено ван-дер-ваальсово взаимодействие двух тонких конденсированных слоев, а также атома с тонким слоем. Показано, что в определенных представляющих интерес предельных случаях зависимость взаимодействия от расстояния является степенной, а показатели степени заметно различаются для диэлектрических и металлических слоев в сходных условиях. Данное различие обусловлено имеющейся в тонких слоях металла коллективной плазменной модой двумерного типа (вообще говоря, затухающей).
Поступила в редакцию: 29.03.1988
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 539.211
Образец цитирования: Ю. С. Бараш, “Ван-дер-ваальсово взаимодействие тонких проводящих слоев”, Физика твердого тела, 30:9 (1988), 2738–2745
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Bar88}
\by Ю.~С.~Бараш
\paper Ван-дер-ваальсово взаимодействие тонких проводящих слоев
\jour Физика твердого тела
\yr 1988
\vol 30
\issue 9
\pages 2738--2745
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt4850}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt4850
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v30/i9/p2738
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика твердого тела Физика твердого тела
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025