Влияние границы раздела на рассеяние электронов двумерного газа на акустических фононах

Развит метод расчета вероятности рассеяния электронов на деформационном потенциале акустических фононов, позволяющий учесть отражение фононов на границе кристалла и границах раздела разных материалов. В качестве примера вычислен темп релаксации энергии в фермиевском двумерном электронном газе, расположенном вблизи свободной границы кристалла. Показано, что существуют ситуации, когда наличие свободной границы сильно подавляет темп релаксации энергии и меняет ее зависимость от энергии электрона (или электронной температуры).