|
|
Физика твердого тела, 1988, том 30, выпуск 12, страницы 3565–3570
(Mi ftt5023)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
О захвате электронов дислокацией в полупроводнике
Р. А. Варданян, Г. Г. Киракосян, В. Я. Кравченко Институт физики твердого тела АН СССР
Аннотация:
В рамках адиабатического подхода рассмотрен безызлучательный многофононный переход электрона из объемной зоны в автолокализованное конденсонное состояние, порождаемое краевой дислокацией в запрещенной зоне полупроводника. Получена, зависимость вероятности захвата электрона как нейтральной (реконструированной), так и отрицательно заряженной дислокацией от температуры, константы деформационного потенциала, а также других параметров кристалла.
Поступила в редакцию: 15.06.1988
Образец цитирования:
Р. А. Варданян, Г. Г. Киракосян, В. Я. Кравченко, “О захвате электронов дислокацией в полупроводнике”, Физика твердого тела, 30:12 (1988), 3565–3570
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt5023 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v30/i12/p3565
|
|