Закрепление уровня Ферми и реакции перезарядки на поверхности полупроводника

Предложен механизм закрепления уровня Ферми на поверхности полупроводника, заключающийся в том, что рост поверхностного заряда, происходящий в ходе поверхностной реакции адсорбат$-$адсорбент с захватом одного из типов носителей тока, прекращается при таком изгибе зон, когда возникает конкурирующая реакция перезарядки поверхности с захватом носителей противоположного знака. Это происходит при инверсии типа проводимости у поверхности полупроводника. Даже при различии скоростей двух конкурирующих реакций перезарядки на 4 порядка уровень Ферми при комнатной температуре закрепляется вблизи середины запрещенной зоны. Энергетического совмещения поверхностных состояний и уровня Ферми для его закрепления на поверхности не требуется. Обсуждается ряд конкретных систем, в том числе демонстрирующих аномальную кинетику формирования электрического барьера.