Механизм нелинейности показателя преломления кристаллов $\alpha$-SiC (6$H$)

Дано объяснение нелинейности показателя преломления в кристаллах $\alpha$-SiC (6$H$) на частоте излучения рубинового лазера (${\hbar\omega=1.78}$ эВ). Нелинейность связана с насыщением прямых переходов свободных электронов между подзонами зоны проводимости. Она обладает малой инерционностью (${\tau\lesssim10^{-12}}$ с) и сравнительно большой величиной. Экспериментальные зависимости величины нелинейности от интенсивности и частоты имеют те же особенности, что и теоретические. Это позволило оценить величину межзонного матричного элемента оператора импульса и сделать вывод о том,что эффективная масса электрона в верхней подзоне меньше, чем на дне зоны проводимости.