Влияние дефектов структуры на угловое распределение рентгеновской дифракции в кристаллах с нарушенным поверхностным слоем

В рамках статистической динамической теории дифракции рассмотрено влияние дефектов структуры в нарушенном поверхностном слое совершенных полупроводниковых кристаллов на угловую зависимость когерентного и некогерентного (диффузного) рассеяния рентгеновских лучей. На примере эпитаксиальной пленки с дефектами кластерного типа показано, что диффузная компонента рассеяния существенным образом изменяет интенсивность и профиль кривой дифракционного отражения. Исследована зависимость углового распределения дифракции от размера и концентрации дефектов в поверхностном слое, от его толщины и величины деформации.