Аналитические границы для энергии симметричных биэкситонов

Произведен теоретический анализ зависимости энергии биэкситона в изотропном кристалле от отношения эффективных масс электрона и дырки $\sigma$. Получены новые аналитические верхняя и нижняя границы полной энергии биэкситона, а также его энергии связи (и диссоциации). На основе разложения энергии в ряд типа Борна$-$Оппенгеймера построена аппроксимационная формула, предсказывающая энергию связи биэкситонов при произвольных о с погрешностью в несколько процентов.