Влияние Ge и избыточного Si на спектр ЭПР донорных состояний азота в 6$H$SiC

Исследован спектр ЭПР азота в твердом растворе 6$H$Si$_{1-x}$CGe$_{x}$ ($x$= 0.01, 0.001) и в эпитаксиальных слоях (ЭС) $6H$SiC с повышенным содержанием Si на частоте $\nu$ =142 ГГц при $T$=4.2 K. В 6$H$SiC : Ge и ЭС 6$H$SiC обнаружены соответственно дна и три отщепленных от кубических позиций спектра ЭПР азота, при этом только один из них (третий) в ЭС $6H$SiC отличается от спектров ЭПР кубических позиций азота меньшей но величине изотропной константой СТС $A$= 7.5 Э. Это свидетельствует о наличии в ЭС с повышенным содержанием Si протяженных дефектов — микрокластеров, — вблизи границ которых происходит нарушение аксиальной симметрии первой углеродной сферы окружения донора.