Энергетические диаграммы и электрические характеристики сверхрешеток Ge$-$Ge$_{1-x}$Si$_{x}$ с напряженными слоями

Построены энергетические диаграммы в напряженных сверхрешетках (СР) Ge$-$Ge$_{1-x}$Si$_{x}$, выращенных на Ge-подложках с буферным подслоем Ge$_{1-y}$Si$_{y}$. Параметры зонного спектра структур сопоставляются с особенностями в спектрах электроотражения света от поверхности образцов. Экспериментально наблюдаемые в селективно-легированных СР значения холловской подвижности дырок обнаруживают значительный рост при понижении температуры, согласуясь с выводами теоретической модели. Проанализирована роль упругой деформации слоев СР в данном эффекте.