|
|
Физика твердого тела, 1990, том 32, выпуск 7, страницы 1947–1951
(Mi ftt6219)
|
|
|
|
Образование дефектов в кристаллах антрацена под воздействием УФ излучения эксимерного лазера
Э. Рейнот, Т. Рейнот, Т. Тамм, Я. Аавиксоо Институт физики АН ЭССР
Аннотация:
Количественно исследовано влияние интенсивности эксимерного лазера на спектры низкотемпературной люминесценции кристаллов антрацена. Механизм развития дислокации сводится к светоиндуцированию термических напряжений. Пороговая интенсивность генерации дислокаций 10$^{5}$ Вт/см$^{2}$, количество дислокаций растет линейно с дозой. При больших дозах тонкие лепестки разрушаются, а в толстых кристаллах спектры экситонного излучения подавляются полностью.
Поступила в редакцию: 16.10.1989
Образец цитирования:
Э. Рейнот, Т. Рейнот, Т. Тамм, Я. Аавиксоо, “Образование дефектов в кристаллах антрацена под воздействием УФ излучения эксимерного лазера”, Физика твердого тела, 32:7 (1990), 1947–1951
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt6219 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v32/i7/p1947
|
|