Поглощение ультразвука в слаболегированном компенсированном $n$-InSb при сверхнизких температурах

Измерено электронное поглощение $\Gamma$ пьезоактивных ультразвуковых волн в области частот 200$-$1000 МГц в слаболегированном сильнокомпенсированном (${K=0.84\div0.96}$) $n$-InSb в поперечных магнитных полях до 13 кЭ в интервале температур 0.45$-$4.2 K. Показано, что в сильных поперечных магнитных полях ${\Delta\Gamma(H)=\Gamma(H)-\Gamma(0)= -a+b/H^{2}}$, что согласуется с предсказанием теории. В температурной зависимости $\Gamma(0)$ наблюдается переход от режима $\omega\tau_{0}<1$ к режиму $\omega\tau_{0}>1$ ($\omega$ — частота звука; $\tau_{0}$ — минимальное время релаксации заселенностей энергетических уровней пар локализованных состояний, ответственных за поглощение). Определены значения и температурная зависимость $\tau_{0}$, идентифицирован механизм релаксации заселенностей — пьезоэлектрическое взаимодействие с акустическими фононами. В сильнокомпенсированных образцах (${K>0.9}$) обнаружена зависимость числа актуальных для поглощения пар от температуры, интенсивности звука и тепловой подсветки.