Оценка величины статического искажения и нелинейности ян-теллеровского взаимодействия для глубокого центра Cu$_{Ga}$ в GaAs

Проанализирована экспериментальная зависимость характеристического времени переориентации $\tau$ ян-теллеровского тетрагонального комплекса Cu$_{\text{Ga}}^{0}$4As от деформации $\varepsilon_{1}$ при давлении $P$ вдоль оси [100]. Показано, что при температуре 2 K и ${\varepsilon_{1}<10^{-3}}$ переориентация происходит путем туннелирования под барьером, разделяющим состояния, которые соответствуют трем возможным ориентациям комплекса. Экспериментальная кривая ${\tau=\tau(\varepsilon_{1}})$ аппроксимирована расчетной в модели, рассматривающей туннелирование в адиабатических потенциалах, учитывающих линейное и квадратичное взаимодействия связанных дырок с $E$-колебаниями комплекса и обменное взаимодействие дырок. На основании результатов этой аппроксимации и данных других пьезо-оптических экспериментов определены параметры адиабатических потенциалов центра. Статическое смещение атомов As в комплексе Cu$_{\text{Ga}}^{0}$4As из узлов решетки составляет ${\sim0.15}$ Å, высота барьера между эквивалентными ориентациями при ${P=0}$ приблизительно равна 10 мэВ, энергия ян-теллеровской стабилизации лежит в диапазоне 10$-$16 мэВ.