Влияние ближнего упорядочения на электронный энергетический спектр, теплоемкость и остаточное электросопротивление бинарных сплавов

В однозонной модели диагонального беспорядка для бинарного сплава замещения получено общее решение задачи теории многократного рассеяния на случайном локализованном потенциале. Конфигурационно усредненная $\langle T\rangle$-матрица рассеяния представляется разложением кластерного типа. Исследуется влияние ближнего упорядочения на электронный спектр, теплоемкость и остаточное электросопротивление при учете многократного рассеяния на двухчастичном кластере (на парах атомов) для когерентного потенциала, удовлетворяющего условию одноузельного приближения. Выражения для плотности электронных состояний и электропроводности (с учетом рассеяния на парах) представлены в аналитическом виде.