Структурное совершенство двойных гетероструктур InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}-$InAs

Исследовано структурное совершенство двойных гетероструктур InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}-$InAs, перспективных для создания источников и приемников излучения в средней ИК-области спектра. Пленки получали методом жидкофазной эпитаксии в условиях высокой пластичности подложки. Исследование проводилось комплексом дифракционных методов, включающим в себя рентгеновскую топографию, трехкристальную дифрактометрию и просвечивающую электронную микроскопию. Для однослойных структур в области составов от ${x=0.077}$, ${y=0.222}$ до ${x=0.064}$, ${y=0.105}$ относительное изменение межплоскостного расстояния слой$-$подложка $(\Delta d/d)_{\perp}$ меняется от $-0.0018$ до $0.0011$. Установлено, что сетки дислокаций несоответствия в трехслойных гетероструктурах InAsSbP$-$InAs расположены на всех границах раздела и их плотность убывает более чем на порядок от $10^{4}$ см$^{-1}$ на первой границе слой$-$подложка к последней. Построено распределение составляющих $(\Delta d/d)_{\perp}$ и $(\Delta d/d)_{\parallel}$ — перпендикулярной и параллельной границам раздела — по глубине образцов. Результаты интерпретируются в рамках представлений о дефектообразовании в полупроводниковых эпитаксиальных композициях.