Механизм спиновой поляризации заряженных парамагнитных центров в полупроводниках при взаимодействии с носителями тока

Развита теория стационарной спиновой поляризации заряженных парамагнитных примесей в полупроводниках под действием неполяризованной оптической подсветки. Эффект связан с обменным взаимодействием между спином парамагнитной примеси и спином захваченного на орбиту большого радиуса электрона. Такое взаимодействие приводит к появлению в запрещенной зоне уровней комплекса заряженная парамагнитная примесь + электрон. Спиновая поляризация возникает в результате спин-зависящих захватов электронов на такие уровни и избирательной спин-решеточной релаксации на них. Показано, что определяющую роль при такой релаксации играет спин-решеточное взаимодействие парамагнитного остова комплекса. Рассмотренная модель позволила объяснить основные результаты эксперимента для Si : Cr$^{+}$.