Особенности фазовых переходов в одноосных сегнетоэлектриках с подвижными заряженными дефектами

Рассмотрено влияние подвижных заряженных дефектов на аномалии термодинамических величин в окрестности точек фазовых переходов второго рода в одноосных сегнетоэлектриках. Вычислена флуктуационная поправка к теплоемкости, которая имеет вид $T_{c}^{3/2}n^{1/2}|T-T_{c}|^{-1/2}$ в отличие от логарифмической поправки для случая бездефектных кристаллов. Проводится сравнение с результатами, полученными для случая статических заряженных дефектов. Определена область применимости излагаемой теории.