Роль нейтральных примесей при туннелировании электронов через двойной гетеропереход

Рассмотрено рассеяние электронов, туннелирующих через двухбарьерный гетеропереход (ДБГП) на нейтральных примесях. Рассчитана плотность тока протуннелировавших носителей. При энергиях носителей, близких к энергии резонансного уровня, сечение рассеяния на примеси в ДБГП значительно превышает сечение рассеяния в объемном кристалле. Это связано с возрастанием амплитуды волновой функции в яме при этих энергиях. Уширение резонансного пика и уменьшение его максимума с ростом концентрации становятся заметными при относительной концентрации примесей порядка $10^{-6}{-}10^{-5}$. Эффект следует учитывать уже для стехиометрических дефектов, всегда присутствующих в бинарных соединениях. Численный счет проведен для ДБГП Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As/GaAs/Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As.