Определение энергий образования точечных дефектов в ионных кристаллах в приближении линейной связи

В приближении линейной связи (ПЛС) вычислены энергии образования вакансий, ионов замещения и внедрения в некоторых щелочно-галоидных кристаллах (использована оболочечная модель Дика$-$Оверхаузера). Показано, что энергии образования дефектов, вычисленные в ПЛС, отличаются от точных значений, полученных методом молекулярной статики, на (2$-$5) %, если использовать мотт-литтлтоновские смещения ионов кристалла дефектом; при использовании точных значений смещений деформированной дефектом решетки ПЛС выполняется с точностью порядка 1 % (в обоих случаях максимальные смещения $\xi_{\max}$ не должны превышать 10 % от постоянной решетки кристалла $a_{0}$). При $\xi_{\max} > 10$ %$\,\cdot\,a_{0}$ с увеличением $\xi_{\max}$ точность выполнения приближения линейной связи быстро падает.