Примесная зона легированных полупроводников в модели сильной связи

Изучено влияние уровня легирования на плотность состояний примесной зоны вблизи перехода Мотта$-$Андерсена. Электрон-электронное взаимодействие учтено в гамильтониане задачи в приближении самосогласованного поля Хартри. Влияние экранирования учитывалось в моделях Томаса$-$Ферми и Пайнса. Показано, что учет перекрытия волновых функций электронов для соседних примесных центров приводит к формированию двух пиков плотности состояний примесной зоны в окрестности перехода Мотта$-$Андерсена.