Влияние метода утонения подложки на распределение деформационных полей в эпитаксиальных GaAs структурах

Исследовались многослойные эпитаксиальные пленки GaAs толщиной менее 1 мкм, полученные газофазным методом в системе Ga$-$AsCl$_{3}{-}$H$_{2}$ на подложках полуизолирующего (100) GaAs. Рентгеновскими методами изучались величина нарушенного слоя и макроизгиб эпитаксиальных систем при утонении подложки различными методами от исходной толщины (${\sim300\div 400}$ мкм) до требуемой (менее 100 мкм).
Проведен теоретический анализ полученных результатов с учетом упругопластического состояния нарушенного слоя и макроизгиба системы.