Диодные эффекты в полупроводниковых слоях, обогащенных носителями

Построена ВАХ системы, состоящей из двух металлических пленок с разными работами выхода, разделенных изолирующей прослойкой. Носители тока появляются в ней за счет контактного легирования. Такая система моделирует островковую металлическую пленку с градиентом размеров частиц, нанесенную на изолирующую подложку. Показано, что эта ВАХ существенно нелинейна, причем степень нелинейности возрастает с ростом разности энергий Ферми металлических пленок. В отличие от обычных диодов металл$-$полупроводник в рассматриваемой системе металл увеличивает концентрацию электронов в приконтактной области полупроводника.