ЭПР в 2-мм диапазоне и оптическое поглощение собственного дефекта в эпитаксиальных слоях 4$H$ SiC

Исследованы спектры ЭПР на частоте ${\nu=140}$ ГГц и оптического поглощения (ОП) эпитаксиальных слоев (ЭС) 4$H$ SiC, полученных вакуумным сублимационным «сэндвич-методом» с концентрацией азота от $10^{16}$ до $10^{18}\,\text{см}^{-3}$.
Обнаружен и изучен новый парамагнитный центр ЛК-1 в ЭС 4$H$ SiC, имеющих отклонение от стехиометрии в сторону избытка кремния. Исследована динамика изменения спектра ЭПР ЭС 4$H$ SiC в температурном интервале от 4.2 до 34 K. Из сравнения теории с экспериментом определена энергия связи парамагнитного носителя с дефектом (${E=12.8}$ мэВ) для центра ЛК-1. Предложена модель ЛК-1$-$атом кремния в гексагональной позиции углеродного узла, захвативший электрон Si$_{\text{C}}$-антиструктурный дефект.