Особенности процесса переполяризации тонких пластин кристалла ТГС

Методом нематических жидких кристаллов (НЖК) исследована динамика доменов в тонких пластинах (5$-$300 мкм) кристаллов ТГС в широком интервале электрических полей (до ${6\cdot10^{5}}$ В/см). Детально описаны четыре этапа процесса переполяризации, имеющие место в любом интервале переполяризующих полей как в тонких, так и в толстых пластинах ТГС: I — зарождение доменов, II — торцевое движение доменных стенок, III — боковое движение доменных стенок, IV — «стирание».
Обнаруженные в работе особенности процесса переполяризации тонких пластин ТГС, в частности их «самопроизвольная» монодоменизация, неидентичность прямого и обратного движения доменных стенок при последовательных актах частичного переключения и др., объясняются наличием внутреннего поля ${E_{s}=U_{s}/d}$. По пороговым полям начала процесса переполяризации из монодоменного состояния для пластин различной толщины найдено, что равновесное значение $U_{s}$ для номинально чистых кристаллов ТГС при $20^{\circ}$С равно ${\approx1}$ В.
Предполагается, что причиной формирования внутреннего поля $E_{s}$ в сегнетоэлектрических кристаллах являются различия в структуре поверхности и процессах экранирования со стороны противоположных концов $P_{s}$.