Проблема электронного транспорта при анализе фотоэмиссионных данных, получаемых в экспериментах с использованием стоячих рентгеновских волн

Методом Монте-Карло численного моделирования найдена функция влияния $P (z)$, определяющая вероятность регистрации фотоэлектрона, возбужденного стоячей рентгеновской волной на расстоянии $z$ от поверхности кристалла. Дана простая эмпирическая формула, обобщающая результаты численных расчетов, которая применима к широкому классу полупроводниковых кристаллов, изучаемых с помощью техники стоячих рентгеновских волн в случае интегральной фотоэмиссии. Проанализировано влияние анизотропии вылета электронов, а также параметров эксперимента на вид функции $P(z)$.