Проявление джозефсоновской среды при туннелировании в Bi$-$Sr$-$Ca$-$Cu$-$O: эксперимент и модель

Обнаружено, что для туннельных контактов на основе Bi$-$Sr$-$Са$-$Сu$-$О при низких температурах проводимость ${dI/dU=\sigma}$ в начальной области напряжения описывается корневой зависимостью ${\sigma\sim U^{1/2}}$, обусловленной усилением электрон-электронного взаимодействия в приповерхностном слое керамики, которая при больших напряжениях смещения и температурах (${>100}$ мВ и 100 K) переходит в линейную, что связывается с существованием на поверхности ВТСП барьера Шоттки. Для высокоомных пленочных туннельных структур и высоких ${T\sim300}$ K ${\sigma(U)\sim\exp(U/E_{00})}$. В экспериментах с двойной иглой и при моделировании установлено, что пики дифференциального сопротивления в туннельных спектрах имеют токовый характер разрушения слабых джозефсоновских связей. Определены их параметры. Возникновение нулевого пика проводимости в $dU/DI{-}U$ объясняется разрушением связей с малым критическим током.