Взаимодействие между дефектами и электропроводность слаболегированных щелочно-галоидных кристаллов

Методом Монте-Карло проведены расчеты электропроводности щелочно-галоидных кристаллов с малой концентрацией двухвалентных катионов замещения (слаболегированные ЩГК). На основе этих расчетов проанализирована электропроводность слаболегированных ЩГК в моделях ассоциации без блокирования и с блокированием. Показано, что данные модели описывают два предельных случая электропроводности реальных ЩГК. Выведено соотношение для определения энергии взаимодействия катионной вакансии с двухвалентным катионом замещения из данных по электропроводности ЩГК в области примесной проводимости и в области комплексообразования.