Рентгеновские и электрические исследования фазового перехода в Pb$_{1-x}$Ge$_{x}$Se

В электрических измерениях, проведенных на монокристаллических образцах $n$-Pb$_{1-x}$Ge$_{x}$Se (${x= 0.02{-}0.08}$), обнаружено аномальное рассеяние носителей, указывающее на происходящий в кристаллах фазовый переход (ФП) 2-го рода. Установлена зависимость температуры ФП от состава кристалла. Рентгеновскими исследованиями доказан ромбоэдрический тип искажения кубической решетки ниже $T_{c}$ и найдена температурная зависимость угла ромбоэдра. Показано, что введение примеси таллия резко понижает температуру ФП. Обсуждаются причины закономерного понижения $T_{c}$ в твердых растворах халькогенидов свинца — германия при замещении Те $\to$ Se $\to$S.