Экситонные и электронно-дырочные процессы в кристаллах CsCl и CsCl$-$Tl

Для кристаллов CsCl и CsCl$-$Tl методами оптической и термоактивационной спектроскопии измерены спектры создания ВУФ-радиацией автолокализованных экситонов и дырок, Tl$^{0}$-центров, а также спектры возбуждения люминесценции Tl$^{+}$, что позволило разделить экситонные и электронно-дырочные процессы. Экспериментально показано, что при 5 и 80 K длина пробега экситонов до автолокализации в простых кубических кристаллах CsCl в десятки раз больше, чем в гранецентрированных кристаллах KCl и RbCl.